SK하이닉스, 321단 낸드 기반 ‘UFS 4.1 설루션’ 제품 개발…“온디바이스 AI 구현 최적”

전소영 기자 입력 : 2025.05.22 09:28 ㅣ 수정 : 2025.05.22 09:28

세계 최고 수준의 순차 읽기 성능·저전력 특성 기반 온디바이스 AI 구현에 최적
“321단 제품 포트폴리오로 낸드서도 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더’ 입지 강화”

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SK하이닉스는 22일 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시를 탑재한 모바일용 설루션 제품인 UFS 4.1을 개발했다고 밝혔다. [사진 = SK하이닉스]

 

[뉴스투데이=전소영 기자] SK하이닉스가 세계 최고 수준의 순차 읽기 성능과 저전력 특성 기반의 온디바이스 AI 구현에 최적화된 설루션 제품 개발에 성공했다.

 

SK하이닉스는 22일 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시를 탑재한 모바일용 설루션 제품인 UFS 4.1을 개발했다고 밝혔다.

 

회사는 “모바일에서 온디바이스(On-device) AI를 안정적으로 구현하려면 사용되는 낸드 설루션 제품도 고성능과 저전력 특성을 고루 겸비해야 한다”며 “AI 워크로드에 최적화된 UFS 4.1 기반 제품을 통해 플래그십 스마트폰 시장에서도 메모리 리더십을 주도하겠다”고 말했다.

 

최근 온디바이스 AI 수요가 늘어나며 기기의 연산 성능과 배터리 효율 간 균형이 중요해지고 있다. 이에 따라 모바일 기기의 얇은 두께와 저전력 특성은 업계 표준으로 자리매김 중이다.

 

이러한 흐름에 따라 회사는 이번 제품의 전력 효율을 이전 세대인 238단 낸드 플래시 기반 제품 대비 7% 개선했다. 제품의 두께도 1mm에서 0.85mm로 축소하는 데 성공해, 초슬림 스마트폰에 활용될 수 있도록 개발했다.   

 

아울러 이번 제품은 UFS 4세대 제품의 순차 읽기 최대 성능인 4300MB/s의 데이터 전송 속도를 제공한다. 모바일 기기의 멀티태스킹 능력을 결정하는 랜덤(Random) 읽기와 쓰기 속도도 이전 세대 대비 각각 15%, 40% 개선돼, 현존하는 UFS4.1 제품에서 세계 최고 성능을 자랑한다. 

 

이에 온디바이스 AI 구현에 필요한 데이터를 지연 없이 제공하고, 앱 실행 속도와 반응성을 향상시켜 사용자가 체감하는 성능 향상에 이바지할 것으로 예상된다.

 

512GB(기가바이트), 1TB(테라바이트) 두가지 용량 버전이며, 이번 제품을 연내 고객사에 제공해 인증을 진행하고 내년 1분기부터 본격 양산에 돌입할 예정이다.

 

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 “이번 제품 출시를 필두로 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반 소비자용, 데이터센터용 SSD 제품도 연내 개발을 마치 예정이다”라고 설명했다.

 

이어 “이를 통해 낸드 부문에서도 AI 기술 경쟁력을 갖춘 제품 포트폴리오를 구축하고 ‘풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 입지를 강화하겠다”고 말했다. 

 

 

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